登千佛山，玩“情景切换”

与传统的刚性阴极涂层和/或阳极改性策略相比，登千牺牲双功能Li2O原位补充了阳极锂储存，登千同时促进了阴极保护层的形成，从而大大提高了无阳极电池的循环寿命。

这些探测器采用高温外延生长，佛山模块化程度和内在脆弱性有限，通常需要低温冷却，与互补金属氧化物半导体（CMOS）技术不兼容。当前，景切使用最先进窄带隙半导体的光电探测设备需要复杂的制造过程、高的制造成本和严格的冷却要求，这对于其广泛应用来说仍面临着巨大挑战。

图二、登千器件结构与红外光电流响应（a）光电导探测器的等效电路。【研究背景】红外光（IR）检测为现代工业、佛山科学、能源、医疗和国防应用奠定了基础。景切投稿以及内容合作可加编辑微信：cailiaokefu。

登千（b）60μm×1mm检测器活动区域的示意图。该工作提供了强大的稳定性、佛山极低能量下的带隙控制、佛山光电特性的轻松合成调控、溶液可加工性和室温操作——这些特性是其他基于半导体的光电探测器无法协同实现的。

（d）用1000℃黑体照射产生的光电流，景切采用SWIR带通滤光片λ=1~3μm,MWIR滤光片λ=3~5μm,LWIR部分滤光片λ=8~12μm。

作者通过微波辅助的Stille交叉偶联共聚反应开发了一种中性的高自旋D-A共轭聚合物，登千其大分子结构和电子拓扑结合在一起，登千能提供非常窄的光学带隙（0.10eV），是目前报道的共轭有机材料中和溶液可加工材料中最低的。本文由材料人Materials_1219供稿，佛山材料牛整理编辑。

同时，景切A-Se/N-3DMpC丰富的活性位点和分级多孔结构以及超高的表面积使其具有作为PIHC正极的高比电容。（h）在2.0Ag-1电流密度下，登千Se/N-3DMpC的长循环性能。

佛山相关成果以AGeneralSelf-SacrificeTemplateStrategyto3DHeteroatom-DopedMacroporousCarbonforHigh-PerformancePotassium-IonHybridCapacitors发表在Nano-MicroLetters上。【成果简介】近日，景切中国科学院福建物质结构研究所温珍海和XiangHu（共同通讯作者）等人基于密度泛函理论计算的预测，景切发现Se/N共掺杂多孔碳是一种很有前途的K+存储候选材料，因此开发了一种简单通用的牺牲模板方法来制备Se和N共掺杂的三维(3D)大孔碳(Se/N-3DMpC)，其具有良好的连通性分级孔、扩展的层间结构和丰富的活性位点，可提高对K+存储负极的赝电容活性和动力学，并增强可逆阴离子吸附/脱附的正极电容性能。